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| 规格书 |
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| 标准包装 | 10,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 105 mOhm @ 3A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 24nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 759pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6SuperSOT |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 3 A |
| RDS -于 | 105@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7 ns |
| 典型上升时间 | 10 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 典型下降时间 | 12 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 105 mOhm @ 3A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 759pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 24nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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